近日，从中国电科获悉，该集团下属北京中电科公司自主研制的首台套碳化硅（SiC）器件晶圆全自动减薄机，成功交付国内头部晶圆企业实现量产应用。至此，该公司已形成覆盖碳化硅晶锭、晶片、器件晶圆全流程的成套解决方案。

当前，新能源汽车800V高压平台加速普及、光伏储能标准迭代升级、AI算力电源需求集中释放，三重发展红利叠加背景下，化合物半导体产业迈入规模化扩张的关键窗口期。

晶圆减薄，是半导体器件生产的关键环节之一，用于去除晶圆背面多余的基体材料，以达到后期封装工艺所需的特定厚度；同时能够帮助改善芯片的散热效果。在碳化硅功率器件制造中，晶圆背面减薄工艺是决定器件热阻、导通损耗与批量良率的重要工序之一。由于碳化硅材料硬度高、难磨削，晶圆背面加工易产生崩边、微裂纹甚至破片，对减薄设备刚性、主轴抑振、载台控形及工艺闭环控制提出严苛要求。

锚定这一行业痛点，该公司研发了碳化硅器件晶圆全自动减薄机。设备采用三轴四工位整机结构，集成自动化传输、清洗单元，实现干进干出的全自动加工流程，有效压缩工序流转时间。通过匹配高刚性、低振动、高功率的气浮主轴、磨轮与工艺参数，能够实现加工效率与耗材成本的平衡。经量产实测，8英寸碳化硅晶圆最低可稳定磨削至120微米，单位小时产出不低于15片，磨削后晶圆内厚度偏差稳定控制在3微米以内，全面满足规模化量产对产能与一致性要求。

同时，设备搭载自研高刚度精密气浮主轴，达成亚微米级回转运动精度，能实现宽泛的工艺窗口，满足多元减薄耗材需求；同步配套高精度载荷检测，可实时监控工艺、预警破片风险。设备软硬件还支持搭配砂轮自动修正与标定功能。

据悉，该装备实现了国产设备在8英寸碳化硅晶圆背面减薄工艺环节的重大突破，补齐了我国化合物半导体制造装备短板，为国内碳化硅功率器件规模化生产提供了坚实保障。